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                                        • 產品名稱:CVD培育鉆石設備

                                        • 產品型號:CY-MPCVD
                                        • 產品廠商:成越科儀
                                        • 產品文檔:
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                                        簡單介紹:
                                        CVD培育鉆石是一種由直徑10到30納米鉆石晶體合成的多結晶鉆石,它的化學成分為碳,運用先進的設備模擬大自然中鉆石生長環境,通過化學氣象沉積技術(CVD)栽種而成
                                        詳情介紹:

                                        CVD培育鉆石是一種由直徑10到30納米鉆石晶體合成的多結晶鉆石,它的化學成分為碳,運用先進的設備模擬大自然中鉆石生長環境,通過化學氣象沉積技術(CVD)栽種而成.

                                        MPCVD單晶金剛石沉積設備

                                        適合的應用:

                                        化學氣相沉積法制備高品質單晶金剛石

                                        化學氣相沉積法制備高品質多晶金剛石自支撐厚膜

                                        化學氣相沉積法制備高品質多晶金剛石薄膜

                                        化學氣相沉積法制備石墨烯、碳納米管、富勒烯和金剛石膜等各種碳納米薄膜

                                        產品特點:

                                         

                                        本產品為不銹鋼腔體式6kw微波等離子體設備,功率密度高;

                                        水冷式基片臺和水冷式金屬反映腔,保證系統能長時間穩定工作;

                                        基片溫度以微波等離子體自加熱方式達到;

                                        真空測量儀表采用全量程真空計,可**測量本底真空和工作氣體壓強;

                                        真空泵及閥門采用渦輪分子泵(極限真空為1×10-5Pa)和旋片式機械真空泵(極限真空為1Pa),系統可自動控制沉積氣壓;

                                        配備冷卻水循環系統,確保裝置高功率下可長時間**穩定運行;

                                        系統帶15寸觸摸屏,PLC自動控制,可設置溫度或氣壓恒定,可保存復用多達20套工藝文件;

                                        全自動工藝控制模塊,可以穩定可靠地制備高品質金剛石薄膜和晶體

                                        技術指標與特性:

                                        微波系統(法國Sairem 微波源)

                                        微波頻率

                                        2450±25MHz

                                        輸出功率

                                        0.6kw~6kw 連續可調

                                        微波調諧

                                        三銷釘調配器,模式轉換天線

                                        微波反射保護

                                        環形器,水負載

                                        微波工作模式

                                        TM013

                                        微波泄漏

                                        2 mw/cm2

                                        真空系統

                                        工作氣壓范圍

                                        10~250Torr

                                        自動穩壓范圍

                                        40~250Torr

                                        真空泵

                                        4.4L/s 旋片式真空泵

                                        系統漏率

                                        <1.0x10-9 Pa?m3 / (通過氦質譜檢漏儀檢測)

                                        腔體保壓能力

                                        24 小時壓升小于0.2

                                        本底極限真空

                                        0.1Pa7.5 x10-4 Torr)

                                        真空測量

                                        品牌薄膜規

                                        真空反應腔

                                        反應腔材料及結構

                                        雙層水冷不銹鋼反應腔

                                        真空密封

                                        金屬密封+氟膠圈密封(取樣門)

                                        反應腔內徑

                                        直徑140mm

                                        樣品臺窗口

                                        105x50mm 長方形端口,帶O 形氟橡膠圈密封的前門

                                        觀察窗口

                                        兩個端口,CF35 大口徑,180°分布

                                        測溫窗口

                                        兩個窗口水平角度25~30°,180°分布;窗口方便從反應腔上部的

                                        斜角向下檢測樣品臺的溫度

                                        樣品臺

                                        電動升降式水冷基片臺

                                        直徑100mm,高度可調范圍070mm

                                        鉬基片臺直徑50mm,在5000w, 180Torr 工作狀態,等離子體火球可覆蓋

                                        整個基片臺

                                        基片臺溫度 2501400℃(取決于工藝參數)

                                        氣路

                                        選用日本進口流量計及流量控制閥

                                        系統自帶四路MFC

                                        四路MFC *大流速:H2: 1000sccm,CH4100sccm,O220sccm,N22sccm

                                        測溫系統

                                        德國Raytek 紅外測溫系統,測溫范圍:300~1300 攝氏度

                                        系統軟件

                                        配置PLC 控制的15“觸摸顯示屏,用戶操作界面友好,所有操作均可在觸摸

                                        屏上完成

                                        系統支持工程師和操作員兩個用戶級別,提供用戶權限管理功能

                                        系統自帶缺水,缺氣,電源缺相,火球跳變,過溫過載,打火等自動保護

                                        可設置多達10 套工藝配方,每套配方有40 行數據,生產流程通過工藝配方自

                                        動控制,工藝數據可通過U 盤備份導出

                                        系統自帶全自動抽氣,點火,升溫,降溫等預設流程,用戶操作簡便

                                        全自動溫度控制,氣壓控制,極大減輕系統操作員的工作量



                                        豫公網安備 41019702002438號

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